[服務(wù)項(xiàng)目]主題： 深度光刻技術(shù)—上海激光刻字 ... 發(fā)布者： 陳先生
09/01/2016
Visit:48 ,Today:1
深度光刻技術(shù)—上海激光刻字
激光刻字集成電路制造中利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級(jí)（從毫米級(jí)到亞微米級(jí)），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長(zhǎng)已從4000埃擴(kuò)展到0.1埃數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)-上海激光刻字友情指出！
常規(guī)光刻技術(shù)是采用波長(zhǎng)為2000～4500埃的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗蝕劑為中間（圖像記錄）媒介實(shí)現(xiàn)圖形的變換、轉(zhuǎn)移和處理，至終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質(zhì)層上的一種工藝。在廣義上，它包括光復(fù)印和刻蝕工藝兩個(gè)主要方面。
激光刻字加工中微米級(jí)圖形的光復(fù)印技術(shù)除要求先進(jìn)的曝光系統(tǒng)外,對(duì)扌亢蝕劑的特性、成膜技術(shù)、顯影技術(shù)、超凈環(huán)境控制技術(shù)、刻蝕技術(shù)、硅片平整度、變形控制技術(shù)等也有極高的要求。
深度光刻也是目前研究比較熱門的一項(xiàng)技術(shù),以前的光刻都只限于表面光刻,膠層厚度僅為1Lm左右,現(xiàn)在由于一些特殊的應(yīng)用,如離子刻蝕,剝離,三維微機(jī)械和LIGA工藝等,需要制備幾十甚至幾百微米厚的膠層。由于焦深的原因,深度光刻通常都采用接觸/接近式光刻(但也有少數(shù)采用1@投影式光刻)。光源目前主要為紫外光和X射線,紫外光目前正膠可做到100Lm左右厚度,再厚就很難曝透。負(fù)膠靈敏度高甚至可以做出600Lm厚,50Lm寬的圖形,只是曝光時(shí)間較長(zhǎng)。X射線是今后深度光刻發(fā)展的方向,用于深度光刻的X射線一般需采用0.1~0.4nm范圍內(nèi)的硬X射線,這個(gè)波段的硬X射線穿透力較強(qiáng),可使深層的光刻膠感光,X射線可光刻出500Lm左右厚度的圖形,曝光時(shí)間也較長(zhǎng)[15] 。上海激光焊接指出，此外硬X射線穿透力較強(qiáng),對(duì)掩膜的吸收層厚度也有一定要求。 深度光刻對(duì)分辨率的要求不高,通常只要求做到20~50Lm左右的分辨率,但要求較高的深寬比。如果既要求一定的厚度,又要求較高的分辨率,這在工藝中是很難實(shí)現(xiàn)的,例如要在10Lm厚的膠層上刻出2Lm的線條,就相當(dāng)于要在1Lm厚的膠層上刻出0.2Lm的線寬。但UltratechStepper公司的研究人員已采用1@投影式光刻機(jī)分別在10Lm和100Lm厚的膠層上刻出了2Lm和7Lm的線條深度光刻對(duì)側(cè)壁和底面的陡度要求較高,從一些實(shí)驗(yàn)結(jié)果來(lái)看,紫外光和X射線都基本能滿足要求。
我司相關(guān)服務(wù)：
上海氬弧焊接 歡迎有需求的用戶點(diǎn)擊進(jìn)入我司主頁(yè)http://www.shlqjg123.com訪問(wèn)，了解我司更多服務(wù)！
www.shlqjg123.com
最后更新: 2016-09-01 14:07:44
上海兩清激光科技有限公司主要從事：激光刻字，金屬塑料產(chǎn)品刻字，激光焊接，氬弧焊接，模具焊接等服務(wù)，加工質(zhì)量有保障，價(jià)格實(shí)惠，廠家***
